西数宣布新闪存堆叠218层 存储密度提升50% 你知道吗？

3.2Gbps!西数、铠侠宣布218层新闪存

西部数据、铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的一些技术细节，这次堆叠到了218层。

新闪存包含四个平面(plane)，应用了先进的晶圆键合(wafer bonding)、横向收缩(lateral shrink)技术，并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡，存储密度比上代提升超过50%，达到了1Tb(128GB)。

值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOS directly Bonded to Array)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。

是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing 3.0技术的既视感。

根据官方数据，新闪存的NAND I/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60%，同时在写入性能、读取延迟方面改善了20%，整体性能、可用性再上新台阶。

再加上工艺、架构方面的革新，成本方面也进一步优化。

闪存类型方面，TLC、QLC都可以。

不过，西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用，会首先用在哪些产品上。

事实上，长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层，还有2400MT/s I/O速度，并应用于致态TiPlus7100 SSD系列，但因为你懂的原因没有公开宣传。

去年7月份，美光第一家公开了232层闪存，但受市场需求疲软影响，官方称暂时不会商用。

随后，SK海力士宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层。

现在看来，NAND闪存这一轮的竞争，西数、铠侠不但速度最慢，反而还是最落后的了。

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